博康NIP2工艺平台简介

博康NIP2工艺平台是基于GaN基IPD（Integrated Passive Device）集成无源器件工艺平台，基于成熟、先进的制造工艺，具备高散热、高耐压等优异特性，可满足市场对高功率、高频率射频前端的要求。平台工作电压最高支持200V，并能提供高精度电阻、电感及电容等无源器件，助力实现高性能、小型化的紧凑设计。

博康NIP2技术服务内容

• 晶圆测试（CP）服务
• 聚焦离子束 (FIB) 加工与分析
• 扫描电镜 (SEM) 检测
• 晶圆减薄与划片

博康NIP2工艺优势

• 与GaN-on-SiC芯片完美适配
• 极佳散热性能
• 显著提升电路效率

也欢迎您在2026杭州国际半导体与集成电路产业创新展览会（5月14日-17日，杭 州大会展中心 6A033 展位）与2026中国浙江（海宁）半导体装备及材料博览会（5月15日-17日，海宁会展中心 B48 展位）现场与我们探讨。