减薄：4/6寸SiC减薄≥75um、4/6寸Si减薄≥200um

激光划片：4/6寸SiC，厚度50-500μm，chipping≤15μm，实现划片道最小60um

刀轮划片：100um SiC实现划片道≥60um、100um GaAs实现划片道≥30um

裸片挑片分选：实现400*400μm＞芯片分选到UV膜

其他工艺业务：根据客户需求，可提供不同阶段单步工序业务

晶圆业务

专注先进制程，提供高品质代工服务。

封装业务

涵盖精密封装，助力芯片卓越互连。

特色工艺

差异化方案，满足领域深度定制需求。

设计支持

全方位分析测试，保障芯片品质底线。