采用0.25μm栅长T型栅（T-gate）的GaN HEMT工艺，通过SiN钝化层有效抑制电流崩塌效应，并结合源场板（Source Field Plate）技术以重塑沟道电场分布，显著提升器件的击穿电压。该工艺平台集成了MIM电容与TaN薄膜电阻，支持无源器件高精度制作；同时引入空气桥互联（Air Bridge）以降低大功率条件下的寄生电容与信号串扰，并辅以背面通孔（Backside Via）工艺实现低热阻接地。该工艺主要面向Ku波段及以下频段的MMIC与功率管制作，标准工作电压Vds为28V。

采用0.45μm栅长T型栅（T-gate）的GaN HEMT工艺，通过SiN钝化层有效抑制电流崩塌效应，并结合源场板（Source Field Plate）技术优化沟道电场分布，显著提升器件击穿电压。该工艺平台集成了MIM电容与TaN薄膜电阻，实现高精度无源器件集成；同时引入空气桥互联（Air Bridge）降低大功率条件下的寄生电容与信号串扰，并辅以背面通孔（Backside Via）工艺实现低热阻接地。该工艺主要面向S波段及以下频段的大功率功率管制作，具有较高的工作电压和输出功率能力，标准工作电压Vds为48V。

基于博康特色工艺的0.30μm GaN HEMT节点，采用0.30μm栅长T型栅（T-gate）结构，结合SiN钝化层有效抑制电流崩塌效应，并引入源场板（Source Field Plate）技术优化沟道电场分布，显著提升器件击穿电压。该工艺平台集成MIM电容与TaN薄膜电阻，满足高精度无源器件制作需求；同时采用空气桥互联（Air Bridge）降低大功率条件下的寄生电容与信号串扰，并辅以背面通孔（Backside Via）工艺实现低热阻接地。该节点定位于X波段及以下频段的MMIC与功率管制作，兼具良好的频率特性与输出功率能力，在保持较高工作电压（Vds=48V）的同时，相比0.45μm工艺实现了更优的功率密度与增益性能。